FDN352AP 安森美/场效应管/锐嘉弘电子

品牌

安森美

封装

SOT23

批号

22+

数量

323301337

制造商

ON Semiconductor

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SSOT-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

P-Channel

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Id-连续漏极电流

1.3 A

Rds On-漏源导通电阻

180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

25 V

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

500 mW (1/2 W)

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

1.12 mm

长度

2.9 mm

系列

FDN352AP

晶体管类型

1 P-Channel

宽度

1.4 mm

正向跨导 - 最小值

2 S

下降时间

15 ns

上升时间

15 ns

典型关闭延迟时间

10 ns

典型接通延迟时间

4 ns

零件号别名

FDN352AP_NL

单位重量

30 mg

可售卖地

全国

型号

FDN352AP