STD80N6F6场效应管-半导体

技术参数

品牌：ST意法半导体

型号：STD80N6F6场效应管

封装：TO-252-3.DPak

批号：21+

数量：25000

RoHS：是

产品种类：电子元器件

最小工作温度：-30C

最大工作温度：130C

最小电源电压：4.5V

最大电源电压：7V

长度：8.5mm

宽度：6.3mm

高度：1.3mm

STD80N6F6

特征

AEC-Q101合格

电阻非常低

极低的栅极电荷

雪崩强度高

低栅极驱动功率损耗

应用

切换应用程序

描述

该器件是使用STripFET开发的N沟道功率MOSFET™ F6技术，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS（开）。

相关型号：SAK-XC2331D-20F66LR、TLE4250-2G、TLE4253E、TLE4254EJS、TLE4296-2GV50、TLE6250G、TLE7250G、TLE7250GVIO、TLE9250VLE、TLS820F1ELV50、MC33SB0400ESR2、MC33SB0401ESR2、MCZ33903DP5EK/R2、MMA6900KQR2、S9KEAZN8AMTGR、S9S08SC4E0CTGR、S9S08SG8E2MTJR、S9S12G128AMLHR、SC900781AAER2、FS32K142HFT0VLHR、SPC5602BK0MLL6R、SPC5742PK1AMLQ8R、SPC5743PK1AMLQ5R、TJA1042T、TJA1043T、TJA1044T、TJA1051T/1、TJA1051T/3、TJA1051T/E、UJA1169ATK/3、UJA1169TK/F/3、ESDCAN24-2BLY、L4995JTR、L4995KTR、L5150CSTR、L9347LF-TR、L9352B-TR-LF、L9369、L99H01QFTR、SPC560P40L1CEFAR、SPC560P50L3CEFAR、STB270N4F3、STB80N4F6AG、STD120N4F6、STD80N4F6、STD80N6F6、VN5R003HTR-E、VNH7013XPTR-E、VNN7NV04PTR-E、VNS1NV04DP-E、DRV8702DQRHBR-Q1、INA240A1QPWRQ1、ISO7741FQDBQRQ1、LM2901AVQDRQ1、LMR34215FSC5RNXRQ1、LMR34215FSC5RNXTQ1