15N10规格书参数
15N10参数描述
JIAMICRO 15N10是一种N沟道增强MOSFET，它使用JIAMICRO的先进技术为客户提供最小的导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。JIAMICRO 15N10适用于高效率开关DC/DC转换器、LCD显示逆变器和负载开关。
15N10特性
•RDS（开）=0.08Ω @VGS=10V，ID=8A
•低栅极电荷（典型值=24nC）
•低CRS（典型值=23pF）
•高开关速度
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 功率(Pd) | 28W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250μA |
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