15n10场效应管现货
| mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 15N10 | TO-252 | 85mΩ | 10A | 100v | 量产 | 15N10 |  | 申请 |
* 上方15N10芯片参数仅供参考，详细技术参数请以15N10技术规格书为准
| 15n10属性 | 15n10参数值 | |
|---|---|---|
| 15n10场效应管现货 | 场效应管(MOSFET) | |
| 15n10场效应管现货 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 功率(Pd) | 28W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250μA |
15N10 MOS描述15n10场效应管现货
The QT 15N10 is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses QT’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The QT 15N10 is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and load switch.
15N10 mos特性15n10场效应管现货
• RDS(ON)=0.08Ω @VGS=10V,ID=8A
• Low gate charge (Typ=24nC)
• Low CRSS (Typ=23pF)
• High switching speed
• Low gate charge (Typ=24nC)
• Low CRSS (Typ=23pF)
• High switching speed
深圳嘉芯业致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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