me15n10场效应管参数（03n150场效应管参数）

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场效应管me15n10场效应管参数：型号me15n10场效应管参数：ME15n10.erop.cn/tags-6.html" class="05c27ecacd0dfd36 superseo">15N10 种类：结型(JFET)

沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 用途：DUAL/配对管

封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 材料：N-FET硅N沟道

ME15N10-G,原装Matsuki松木mos管

单N沟道me15n10场效应管参数，15Ame15n10场效应管参数，100Vme15n10场效应管参数， RDS(ON)≦100mΩ

场效应管型号和参数

IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

ME15N10-G三极管用什么替代

场效应管。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

扩展资料：

主要参数：

1、直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

2、交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

参考资料来源：百度百科-场效应管