me15n10场效应管参数
我司有me15n10场效应管参数是N通道逻辑增强模式电源场效应晶体管，使用高单元密度，DMOS沟槽技术这种高密度工艺特别适合于
最小化通态电阻。这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路，
以及在非常小的外形中所需的低串联功率损耗表面贴装封装。完成可直接代替ME15N10的mos管。
| 15N10属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| me15n10场效应管参数 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A | |
| 功率(Pd) | 34.7W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250μA |
型号：15N10-G 封装TO-252
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