置顶15n10场效应管引脚功能
15n10场效应管引脚功能:15n10场效应管是电荷控制型mos管，微小控制电压就可以控制场效应管导通和截止。具有阻抗高，输出电流大，输出内阻低，副温度效应等优点。场效应管有三个电极，g（控制极）d（漏极）s（源极）。15n10是n道沟mos管，15a，100v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右...
置顶15N10规格书参数
15N10参数描述JIAMICRO 15N10是一种N沟道增强MOSFET，它使用JIAMICRO的先进技术为客户提供最小的导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。JIAMICRO 15N10适用于高效率开关DC/DC转换器、LCD显示逆变器和负载开关。15N10特性•RDS（开）=0.08Ω @VGS=...
ne15n10参数（ne156qumnz3参数）
氖是什么材质氖（neon）（旧译作氝，讹作氞），是一种化学元素，它的化学符号是Ne，它的原子序数是10，是一种无色的稀有气体，把它放电时呈橙红色。氖最常用在霓红灯之中。空气中含有少量氖。属零族元素，化学性质极不活泼，为稀有气体的成员之一。中文名氖 英文名 Neon 分子量 20.1797 CAS登...
ASE28N50-jiamicro高压MOS管ASE28N50
编辑：llASE28N50-jiamicro高压MOS管ASE28N50型号：ASE28N50品牌：jiamicro封装：TO-247最大漏源电流：28A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.2Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：u...
ASE4N65SE-jiamicro高压MOS管ASE4N65SE
编辑-ZASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W...
12N60-jiamicro高压MOS管12N60
编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗（PD）为125W。12N60的电性参数是：...
12N60-jiamicro高压N沟道MOS管12N60
编辑：ll12N60-jiamicro高压N沟道MOS管12N60型号：12N60品牌：jiamicro封装：TO-220最大漏源电流：12A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.68Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性...
16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60
编辑：ll16N60-jiamicro高压N沟道MOS管16N60型号：16N60品牌：jiamicro封装：TO-220最大漏源电流：16A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.17Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua特性：N...
