15n10场效应管引脚功能

置顶15n10场效应管引脚功能

15n10场效应管引脚功能:15n10场效应管是电荷控制型mos管,微小控制电压就可以控制场效应管导通和截止。具有阻抗高,输出电流大,输出内阻低,副温度效应等优点。场效应管有三个电极,g(控制极)d(漏极)s(源极)。15n10是n道沟mos管,15a,100v场效应管,正面放置,引脚朝下,从左到右...
15N10规格书参数

置顶15N10规格书参数

15N10参数描述JIAMICRO 15N10是一种N沟道增强MOSFET,它使用JIAMICRO的先进技术为客户提供最小的导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。JIAMICRO 15N10适用于高效率开关DC/DC转换器、LCD显示逆变器和负载开关。15N10特性•RDS(开)=0.08Ω @VGS=...
12N60-jiamicro高压MOS管12N60

12N60-jiamicro高压MOS管12N60

编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.7Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗(PD)为125W。12N60的电性参数是:...
12N60-jiamicro高压N沟道MOS管12N60

12N60-jiamicro高压N沟道MOS管12N60

编辑:ll12N60-jiamicro高压N沟道MOS管12N60型号:12N60品牌:jiamicro封装:TO-220最大漏源电流:12A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:0.68Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流:恢复时间:5ns芯片材质:封装尺寸:如图特性...
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